2025年份11月29天(周六)京都工业大学、日本材料学会半导体电子分会委员会编号2taptap点点会及纳米材料分会委员会编号1第二次学习会联合召开，电火花加工电气电子工程专业硕士二年级学生鹤山大翔进行口头报告。学生优秀讲座奖
演示文稿标题和联名
单晶MoO3薄膜的MBE生长Nafion应用于质子门 FET作为电解质
鹤山大商, 上林佑斗, 山本濑奈、广藤雄一, 广芝伸也, 小池一炮
主页
通知
本网站内容由“Shutto Translation”翻译。请注意，由于使用自动翻译，可能存在翻译不正确的情况。此外，某些图像和 PDF 可能不提供翻译。
感谢您的理解。